发明名称 |
一种低热阻的压接式功率器件封装 |
摘要 |
本发明提供了一种低热阻的压接式功率器件封装,包括上钼片、功率器件的芯片和弹簧探针,以及依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳;框架上设置有第一定位孔和第二定位孔;第一定位孔用于固定上钼片,第二定位孔用于固定弹簧探针;液态金属导热片敷设在上钼片的上表面;功率器件的芯片设置在上钼片和下管壳之间。与现有技术相比,本发明提供的一种低热阻的压接式功率器件封装,减少了纵向的叠层结构和横向热阻,使得温度分布均匀化,降低了功率器件封装的最高温度。 |
申请公布号 |
CN104966704A |
申请公布日期 |
2015.10.07 |
申请号 |
CN201510436088.6 |
申请日期 |
2015.07.23 |
申请人 |
国网智能电网研究院;国家电网公司 |
发明人 |
刘文广;张朋;李金元 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京安博达知识产权代理有限公司 11271 |
代理人 |
徐国文 |
主权项 |
一种低热阻的压接式功率器件封装,其特征在于,所述功率器件封装包括上钼片、功率器件的芯片和弹簧探针,以及依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳;所述框架上设置有第一定位孔和第二定位孔;所述第一定位孔用于固定上钼片;所述第二定位孔用于固定弹簧探针;所述液态金属导热片敷设在上钼片的上表面;所述功率器件的芯片设置在上钼片和下管壳之间。 |
地址 |
102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城) |