发明名称 USE OF ETCH PROCESS POST WORDLINE DEFINITION TO IMPROVE DATA RETENTION IN A FLASH MEMORY DEVICE
摘要 <p>본 발명의 실시예들은 플래시 메모리 디바이스에서의 데이터 보존을 향상시키기 위한 에칭 프로세스 포스트 워드라인 정의의 사용에 관한 기술 및 구성을 설명한다. 하나의 실시예에서, 방법은, 기판 상에 복수의 워드라인 구조를 형성하는 단계 - 복수의 워드라인 구조의 개개의 워드라인 구조는 도전성 재료를 갖는 제어 게이트 및 제어 게이트 상에 형성된 전기적 절연 재료를 갖는 캡을 포함함 - , 개개의 워드라인 구조의 표면에 라이너를 형성하기 위해 전기적 절연 재료를 퇴적하는 단계, 및 라이너의 적어도 일부를 제거하기 위해 라이너를 에칭하는 단계를 포함한다. 다른 실시예들이 설명 및/또는 청구될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101556867(B1) 申请公布日期 2015.10.01
申请号 KR20147007525 申请日期 2011.09.22
申请人 发明人
分类号 H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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