发明名称 具有气隙的结构的形成方法;METHOD FOR MANUFACTURING STRUCTURE HAVING AIR GAP
摘要 一种具有气隙的结构的形成方法,包括下列步骤。在基底的图案区中形成多个图案。在基底上形成牺牲层,且牺牲层的上表面低于图案的上表面,而暴露出图案的多个上部。形成覆盖牺牲层及图案的上部的硬罩幕层。对硬罩幕层进行回蚀刻制程,以暴露出图案区以外的牺牲层,且留在图案区中的硬罩幕层封住图案的上部之间的开口。移除牺牲层,而在相邻两个图案之间形成气隙。
申请公布号 TW201537675 申请公布日期 2015.10.01
申请号 TW103110712 申请日期 2014.03.21
申请人 力晶科技股份有限公司 POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION 发明人 叶明鑫 YEH, MING HSIN;戴炘 TAI, HSIN;吴展村 WU, CHAN TSUN
分类号 H01L21/762(2006.01) 主分类号 H01L21/762(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行一路12号 TW