| 发明名称 | 透明导电膜制造用烧结体靶及使用其制造的透明导电膜 | ||
| 摘要 | 本发明的透明导电膜制造用烧结体靶主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β－GaInO<SUB>3</SUB>相和In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>相构成，In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>相(400)/β－GaInO<SUB>3</SUB>相(111)X射线衍射峰强度比为45％以下，并且密度在5.8g/cm<SUP>3</SUP>以上。使用溅射法得到的透明导电膜为主要由Ga、In和O形成的非晶质氧化物膜透明导电膜，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，功函数在5.1eV以上，波长633nm下的折射率在1.65以上1.85以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101024874A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200610167476.X | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 中山德行;阿部能之 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01);C23C14/46(2006.01);H01B5/14(2006.01) | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种透明导电膜制造用烧结体靶，其特征在于，主要由Ga、In和O形成，相对全部金属原子含有49.1原子％以上65原子％以下的Ga，主要由β-Ga2O3型结构的GaInO3相和方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且以下式定义的X射线衍射峰强度比为45％以下，密度在5.8g/cm3以上。In2O3相(400)/β-GaInO3相(111)×100[％] | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||