| 发明名称 | 生长高阻氮化镓外延膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长本征氮化镓层，生长压力为100-300torr。该本征氮化镓层室温电阻率大于10<SUP>7</SUP>Ω.cm。本发明降低了工艺难度，减少了工艺步骤，一次性的生长出了高质量的本征高阻氮化镓材料，优化了生长工艺，降低了生长成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1313654C | 申请公布日期 | 2007.05.02 |
| 申请号 | CN200410046039.3 | 申请日期 | 2004.06.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓亮;胡国新;王军喜;冉军学;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种生长高阻氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；采用金属有机物化学气相沉积生长法，在衬底的晶面上生长一层低温氮化镓成核层；将衬底温度升高，在低温氮化镓成核层上生长本征氮化镓层，生长压力为100-300torr，该本征氮化镓层室温电阻率大于107Ω.cm。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||