发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY ATTAINING HIGH DATA READ SPEED AND HAVING HIGH NOISE MARGIN
摘要
申请公布号 EP0186906(A3) 申请公布日期 1987.09.02
申请号 EP19850116577 申请日期 1985.12.27
申请人 NEC CORPORATION 发明人 KOBAYASHI, YASUO
分类号 G11C11/417;G11C7/10;G11C7/22;G11C8/18;G11C11/401;G11C11/41;G11C11/419;(IPC1-7):G11C7/00 主分类号 G11C11/417
代理机构 代理人
主权项
地址