| 主权项 |
1.一种陶瓷电容器,系由介电质陶瓷与接触于上述陶瓷之至少二个电极所成陶瓷电容器中,其特征为:上述陶瓷为由100重量份基本成份与0.2-10.0重量份添加成份所成,其中上述基本成份为(Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2(惟其中Me系锶及钙中之至少一种元素,v系0.005-0.980范围之数値,w系0.001-0.05范围之数値,x系0-0.5范围之数値,y系0.005-0.100范围之数値,k系0.8-1.25范围之数値,)上述添加成份为表示Li2O与SiO2与MO(惟其中MO系氧化钡,氧化镁,氧化锌,氧化锶及氧化钙中元至少一种金属氧化物)组成之三角图中依序相连结上述Li2O为1莫尔%,上述SiO2为80莫尔%,上述MO为19莫尔%之点(A),与上述Li2O为1莫尔%,上述SiO2为49莫尔%,上述M0为50莫尔%之点(B),与上述Li2O与25莫尔%,上述SiO2为35莫尔%,上述M0为40莫尔%之点(C),与上述Li2O与50莫尔%,上述SiO2为49莫尔%,上述M0为1莫尔%之点(D),与上述Li2O与19莫尔%,上述SiO2为80莫尔%,上述M0为1莫尔%之点(E),之五条直所包围范围内者。2.如申请专利范围第1项所请之陶瓷电容器,其中上述电极系被埋设于上述陶瓷中。3.如申请专利范围第1项所请之陶瓷电容器,其中上述电极系以贱金属所形成者。4.如申请专利范围第3项所请之陶瓷电容器,其中上述贱金屏系镍。5.一种陶瓷电容器之制法,包括:准备由100重量份基本成份与0.2-1-0.0重量份添加成份所成,具有以下特征之基本成份与添加成份之混合物的工程,即上述基本成份为(Ba1-v-wMevMgwO)k(Zr1-x-yTixSiy)O2(惟其中Me系锶及钙中之至少一种元素,v系0.005-0.980范围之数値,w系0.001-0.05范围之数値,x系0-0.5范围之数値,y系0.005-0.100范围之数値,k系0.8-1.25范围之数値,)上述添加成份为表示Li2O与SiO2与MO(惟其中MO系氧化钡,氧化镁,氧化锌,氧化锶及氧化钙中元至少一种金属氧化物)组成之三角图中依序相连结,上述Li2O与1莫尔%,上述SiO2为80莫尔%,上述MO为19莫尔%之点(A),与上述Li2O与1莫尔%,上述SiO2为49莫尔%,上述M0为50莫尔%之点(B),与上述Li2O与25莫尔%,上述SiO2为35莫尔%,上述M0为40莫尔%之点(C),与上述Li2O与50莫尔%,上述SiO2为49莫尔%,上述M0为1莫尔%之点(D),与上述Li2O与19莫尔%,上述SiO2为80莫尔%,上述M0为1莫尔%之点(E),之五条直线所包围者;与作成具有至少二个电极部份之上述混合物成形物之工程;与在非氧化性条件烧成具有上述电极部份之上述成形物之工程;与在氧化性条件上处理上述烧成中所得成形物之工程。6.如申请专利范围第5项所请陶瓷电容器之制法:其中上述电极部份系在上述成形物上涂布包含贱金属之导电性糊予以成形者。7.如申请专利范围第6项所请陶瓷电容器之制法,其中上述贱金属系镍。8.如申请专利范围第5项所请陶瓷电容器之制法,其中上述烧成系在1050℃-1200℃温度加热具有上述电极部份之上述成形物。9.如申请专利范围第5项所请陶瓷电容器之制法,其中上述热处理系在500-1000℃温度加热上述烧成所得之成形物。图示简单说明:第1图系表示本发明实施例有关之层合型陶瓷电容器的剖面图。第2图系表示添加成份组成范围之三角图。第3图系测定弯曲强度之装置其概略图。 |
