| 主权项 |
1.一种在基质上制作多层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (Ⅰ)(A)涂覆电子装置以平面化涂层,即 用一溶剂稀释氢矽11/2氧烷树脂,以一 选自包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属 触媒催化此稀氢矽11/2氧烷树脂溶液, 并涂敷此催化的稀氢矽11/2氧烷树脂溶 液于电子装置; (B)乾燥催化的稀氢矽11/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,从而在电子装置上淀积 一催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷前涂料 ; (C)加热已涂覆装置至150与1000℃间温 度使催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷前涂 料瓷化成二氧化矽而产生一陶瓷或似瓷 平面化涂层; (Ⅱ)在陶瓷或似瓷平面化涂层上涂敷一 种自下列一群选出的钝化涂料,包括(i) 含矽氮涂料,(ii)含矽碳涂料,及(iii) 含矽氮涂料;其中含矽氮涂料系用一种自 下列一群中选出之惜施涂敷于电子装置之 平面化涂层上,包括(a)甲矽烷、卤甲矽 烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物于 氨在中之化学蒸汽淀积,(b)甲矽烷、卤 甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合 物于氨存在中之电浆增强化学蒸汽淀积, (C)含矽与氮的瓷前聚合物之瓷化;又其 中含矽碳氮涂料系用下列一群中选择之一 种惜施涂敷于电子装置之平面化涂层上, 包括(1)六甲基乙矽胺烷之化学蒸汽淀积 ,(2)六甲基乙矽胺烷之电浆增强化学蒸 汽淀积,(3)甲矽烷、烷基甲矽烷、卤甲 矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物 于一1至6碳原子之烷或一烷基甲矽烷存 在中且又于氨存在中之化学蒸汽淀积,及 (4)甲矽烷、烷基甲矽烷、卤甲矽烷、卤 乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物于一1至 6碳子之烷或一烷基甲矽烷存在中且又氨 存在中之电浆增强化学蒸汽淀积;又其中 含矽碳涂料系用下列一群中选择之一重惜 施淀积,包括(i)烷基甲矽烷、卤甲矽烷 、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物于一 1至6碳原子之烷或烷基甲矽烷存在中之 化学蒸汽淀积,及(ii)卤甲矽烷、卤乙矽 烷、卤多矽烷或此等混合物于一1至6碳 原子烷或烷基甲矽烷存在中之电浆增强化 学蒸汽淀积而产生钝化陶瓷或似瓷涂层; 及 (Ⅲ)在钝化陶瓷或似瓷涂层上涂敷一种 自下列一群择之含矽涂料,包括(i)矽涂 料,(ii)含矽碳涂料,(iii)含矽氮涂料 ,及(iv)矽碳氮涂料;其中矽涂料系用以 下群中选出之一种惜施涂敷于钝化涂层上 ,包括(a)甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷 、卤多矽烷或此等混合物之化学蒸汽淀积 ,(b)甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤 多矽烷或此等混合物之电浆增强化学蒸汽 淀积,或(C)卤甲矽烷、卤乙矽烷、多矽 烷或此等混合物之金属协助的化学蒸汽淀 积;又其中矽碳涂料系用以下一群中选出 之一种惜施涂敷,包括(1)甲矽烷、烷基 甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷 或此混合物于一1至6碳子烷或烷基甲矽 烷存在中之化学蒸汽淀积,(2)烷基甲矽 烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此 混合物于一1至6碳子烷或烷基甲矽烷存 在中之电浆增强化学蒸汽淀积;又其中含 矽氮涂料系用以下一群中选出之一种惜施 淀积,包括(A)甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙 矽烷、卤多矽烷或此等混合物于氨存在中 之化学蒸汽淀积,(B)甲矽烷、卤甲矽烷 、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物氨存 在中之电浆增强化学蒸汽淀积,及(C)含 矽氮瓷前聚合物之瓷化;又其中含矽碳涂 料系用以下一群中选出之一种惜施淀积, 包括(i)六甲基乙矽胺烷之化学蒸汽淀积 ,(ii)六甲基乙矽肢烷之电浆增强化学蒸 汽淀积,(iii)甲矽烷、烷基甲矽烷、卤 甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合 物于一1至6碳原子烷或烷基甲矽烷且又 于氨存在中之化学蒸汽淀积,及(iv)甲矽 烷、烷基甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、 卤多矽烷或此等混合物于一1至6碳子烷 或烷基甲矽烷且又氨存在中之电浆增强化 学蒸汽淀积以产生含矽涂层,从而电子装 置上得多层陶瓷或似瓷涂层。2.一种在基质上制 作双层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (Ⅰ)(A)涂覆电子装置以平面化涂料,即 用一溶剂稀释氢矽11/2氧烷树脂,以一 选自包括铂触媒及锌触媒等一群中之金属 触媒催化此稀氢矽11/2氧烷树脂溶液, 并涂敷此催化的稀氢矽11/2氧烷树脂溶 液于电子装置; (B)乾燥催化的稀氢矽11/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,从而在电子装置上淀积 一催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷前涂料 ; (C)加热已涂覆装置至150与1000℃间温 度使催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷前涂 料瓷化成二氧化矽而产生一陶瓷或似瓷 平面化涂层; (Ⅱ)在陶瓷或似瓷平面化涂层上涂敷一 种自下列一群选出的钝化涂料,包括(i) 含矽碳涂料,(ii)含矽碳涂料,及(iii) 含矽碳氮涂料;其中含矽氮涂料系用一种 自下列一群中选出之惜施涂敷于电子装置 之平面化涂层上,包括(a)甲矽烷、卤甲 矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物 于氨在中之化学蒸汽淀积,(b)甲矽烷、 卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混 合物于氨存在中之电浆增强化学蒸汽淀积 ,(c)含矽与氮的瓷前聚合物之瓷化;又 其中含矽碳氮涂料系用下列一群中选择之 一种惜施涂敷于于陶瓷或似瓷涂覆的电子 装置上,包括(1)六甲基乙矽胺烷之化学 蒸汽淀积,(2)六甲基乙矽胺烷之电浆增 强化学蒸汽淀积,(3)甲矽烷、烷基甲矽 烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此 等混合物于一1至6碳原子之烷或一烷基 甲矽烷存在中且又于氨存在中之化学蒸汽 淀积,及(4)甲矽烷、烷基甲矽烷、卤甲 矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物 于一1至6碳子之烷或一烷基甲矽烷存在 中且又氨存在中之电浆增强化学蒸汽淀积 ;又其中含矽碳涂料系用下列一群中选择 之一重惜施淀积,包括(i)烷基甲矽烷、 甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷 或此等混合物于一1至6碳原子之烷或烷 基甲矽烷存在中之化学蒸汽淀积,及(ii) 烷基甲矽烷、甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽 烷、卤多矽烷或此等混合物于一1至6碳 原子烷或烷基甲矽烷存在中之电浆增强化 学蒸汽淀积而产生钝化陶瓷或似瓷涂层, 从而在电子装置上得一双层陶瓷或似瓷涂 层。3.一种在基质上制作单层陶瓷或似瓷的平面 化涂层之方法,包括: (A)涂覆电子装置以平面化涂料,即用一 溶剂稀释氢矽11/2氧烷树脂,以一选 自包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属 触媒催化此稀氢矽11/2氧烷树脂溶液 ,并涂敷此催化的稀氢矽11/2氧烷树 脂溶液于电子装置; (B)乾燥催化的稀氢矽11/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,从而在电子装置上淀积 一催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷前涂料 ; (C)加热已涂覆装置至150与1000℃间温 度使催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷前涂 料瓷化成二氧化矽,从而在电子装置上 产生一单层陶瓷或似瓷平面化涂层;4.一种在基质 上制作多层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽11/2氧烷树脂瓷前材料,以 一选自包括铂触媒及铑触媒等一群中之 金属触媒催化此稀氢矽11/2氧烷树脂 溶液,在电子装置上涂覆该催化的稀瓷 前氢矽11/2氧烷树脂溶液,乾燥此催 化的稀瓷前氢矽11/2氧烷树脂溶液以 蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷 前涂料,于150至1000℃温度加热已涂 覆装置使催化的氢矽11/2氧烷树脂瓷 化成二氧化矽而产生陶瓷或似瓷涂层, 及 (B)在已涂陶瓷或似瓷的装置上涂敷含矽 涂料,即在反应室内于200与600℃间 温度于途覆的装置存在中分解呈汽相之 甲矽烷、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽 烷或此等混合物,遂得其上含多层陶瓷 或似瓷涂层之电子装置。5.一种在基质上制作多 层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一 选自包括铂触媒及铑触媒等之一群中之 金属触媒催化此稀氢矽1 1/2氧烷树脂 溶液,在电子装置上涂覆催化的稀瓷前 氢矽1 1/2氧烷树脂溶液以蒸发溶剂, 于是在电子装置上淀积一瓷前涂料,于 150至1000℃温度加热已涂覆装置使催 化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化 矽而产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在已涂陶瓷或似瓷的装置上涂敷含矽 涂料,即在反应室内于150与1000℃间 温度于陶瓷或似瓷涂覆的装置存在中分 解呈汽相之甲烷基、卤甲矽烷、卤乙矽 烷、卤多,遂得其上.16.一种在基质上制作多层陶 瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在已涂陶瓷或似瓷的装置上涂敷含矽 涂料,即在反应室内于150与1000℃间温度于 陶瓷或似瓷涂覆的装置存在中分解呈汽相之中 烷基、卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等 混合物及1至6碳原子之烷或烷基甲矽烷,遂 得其上含多层陶瓷或似瓷涂层之电子装置。7.一 种在基质上制作多层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在陶瓷或似瓷的装置上涂敷含矽涂料 ,即在反应室内于150与1000℃间温度于陶瓷 或似瓷涂覆的装置存在中分解六甲基乙矽胺烷 ,遂得其上含多层陶瓷或似瓷涂层之电子装置 。8.一种在基质上制作多层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在电子装置的陶瓷或似瓷涂层上涂敷 钝化涂料包含所制之含矽氮材料者,即在溶剂 内稀释一瓷前含矽氮聚合物,以此稀瓷前含矽 氮聚合物溶液涂覆陶瓷或似瓷涂过的装置,乾 燥稀瓷前含矽氮聚合物溶液使溶剂蒸发,于是 在陶瓷或似瓷涂过的电子装置上淀积一瓷前含 矽氮涂料,在150至1000℃温度于惰氯或氨气 氛内加热涂覆的装置而产生一陶瓷含矽氮涂层 ,及 (C)在电子装置之陶瓷或似瓷涂层上涂敷 含矽涂料,即在反应室内于200与600 ℃间温度于陶瓷或似瓷涂覆的装置存在 中分解呈汽相的甲矽烷、卤甲矽烷、卤 多矽烷或此等混合物,遂得其上含多层 陶瓷或似瓷涂层之电子装置。9.一种在基质上制 作多层陶瓷或似瓷涂层之 方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在电子装置的陶瓷或似瓷涂层上涂敷 钝化涂料包含所制之含矽氮材料者,即在溶剂 内稀释一瓷前含矽氮聚合物,以此稀瓷前含矽 氮聚合物溶液涂覆陶瓷或似瓷涂过的装置,乾 燥稀瓷前含矽氮聚合物溶液使溶剂蒸发,于是 在陶瓷或似瓷涂过的电子装置上淀积一瓷前含 矽氮涂料,在150至1000℃温度于惰气或含氨 气氛内加热涂覆的装置而产生一陶瓷含矽氮涂 层,及 (C)在陶瓷或似瓷涂覆的装置上涂敷一含 矽氮涂料,即在反应室内在150与1000 ℃间温度于陶瓷或似瓷涂覆的装置存在 中分解呈汽相的甲矽烷、卤甲矽烷、卤 乙矽烷、卤多矽烷或此等混合物及氨, 遂得其上含多层陶瓷或似瓷涂层之电子 装置。10.一种在基质上制作多层陶瓷或似瓷涂属 层之方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀泽氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在电子装置的陶瓷或似瓷涂层上涂敷 钝化涂料包含所制之含矽氮材料者,即在溶剂 内稀释一瓷前含矽氮聚合物,以此稀瓷前含矽 氮聚合物溶液涂覆陶瓷或似瓷涂过的装置,乾 燥稀瓷前含矽氮聚合物溶液使溶剂蒸发,于是 在陶瓷或似瓷涂过的电子装置上淀积一瓷前含 矽氮涂料,在150至1000℃温度于惰气或含氨 气氛内加热涂覆的装置而产生一陶瓷含矽氮涂 层,及 (C)在陶瓷或似瓷涂覆的装置上涂敷一含 矽氮涂料,即在反应室内在150与1000 ℃间温度于陶瓷或似瓷涂覆的装置存在 中分解呈汽相的甲烷基矽烷、甲矽烷、 卤甲矽烷、卤乙矽烷、卤多矽烷或此等 混合物,遂得其上含多层陶瓷或似瓷涂 层之电子装置。11.一种在基质上制作多层陶瓷或 似瓷涂层 之方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在电子装置的陶瓷或似瓷涂层上涂敷 钝化涂料包含研制之合矽氮材料者,即在溶剂 内稀释一瓷前含矽氮聚合物,以此稀瓷前含矽 氮聚合物溶液涂覆陶瓷或似瓷涂过的装置,乾 燥稀瓷前含矽氮聚合物溶液使溶剂蒸发,于是 在陶瓷或似瓷涂过的电子装置上淀积一瓷前含 矽氮涂料,在150至1000℃温度于惰气或含氨 气氛内加热涂覆的装置而产生一陶瓷含矽氮涂 层,及 (C)在陶瓷或似瓷涂覆的装置上涂敷一含 矽氮涂料,即在反应室内在150与1000 ℃间温度于陶瓷或似瓷涂覆的装置存在 中用六甲基乙矽胺之化学蒸汽淀积,遂 得其上含多层陶瓷或似瓷涂层之电子装 置。12.一种在基质上制作多层陶瓷或似瓷涂层 之方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在电子装置的陶瓷或似瓷涂层上涂敷 钝化涂料包含研制之合矽氮材料者,即在溶剂 内稀释一瓷前含矽氮聚合物,以此稀瓷前含矽 氮聚合物溶液涂覆陶瓷或似瓷涂过的装置,乾 燥稀瓷前含矽氮聚合物溶液使溶剂蒸发,于是 在陶瓷或似瓷涂过的电子装置上淀积一瓷前含 矽氮涂料,在150至1000℃温度于惰气或含氨 气氛内加热涂覆的装置而产生一陶瓷含矽氮涂 层,及 (C)在陶瓷或似瓷涂覆的装置上涂敷一含 矽氮涂料,即在反应室内在150与1000 ℃间温度于陶瓷或似瓷涂覆的装置存在 中用六甲基乙矽胺之电浆增强化学蒸汽 淀积,遂得其上含多层陶瓷或似瓷涂层 之电子装置。13.一种在基质上制作双层陶瓷或似 瓷涂层 之方法,包括: (A)以涂料涂覆一电子装置,即用一溶剂 稀释氢矽1 1/2氮烷树脂瓷前材料,以一选自 包括铂触媒及铑触媒等一群中之金属触媒催化 此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液,在电子装置上 涂覆该催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,乾燥此催化的稀瓷前氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是在电子装置上淀积一瓷前 涂料,于150至1000℃温度加热已涂覆装置使 催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷化成二氧化矽而 产生陶瓷或似瓷涂层,及 (B)在电子装置的陶瓷或似瓷涂层上涂敷 纯化涂料包含研制之合矽氮材料者,即在溶剂 内稀释一套前含矽氮聚合物,以此稀瓷前含矽 氮聚合物溶液涂覆陶瓷或似瓷涂过的装置,乾 燥稀瓷前含矽氮聚合物溶液使溶剂蒸发,于是 在陶瓷或似瓷涂过的电子装置上淀积一瓷前含 矽氮涂料,在150至1000℃温度于惰气或含氨 气氛内加热涂覆的装置,遂在电子装置上产生 双层陶瓷或似瓷涂层。14.一种以陶瓷或似瓷含矽 氮材料涂覆基质 之方法,其中该法包含步骤有: (1)用一溶剂稀释一含矽与氮的瓷前聚合 物,此聚合物系由一环矽胺烷或环矽胺 烷类混合物与一自包括卤乙矽院及卤甲 矽烷之一群中选出之含矽材反应产生; (2)用此稀瓷前聚合物溶剂溶涂覆基质; (3)无空气存在中乾燥此稀瓷前聚合物溶 剂溶液使溶剂蒸发,从而在基质上淀积 陶瓷或似瓷涂覆的基质。15.一种在基质上制作单 层陶瓷或似瓷涂层 之方法,包括: (A)以一平面化涂料涂覆基质,即用一溶 剂稀释氢矽1 1/2氧烷树脂,以一自包 括铂触媒及铑触媒等一群中选出之金属 触媒催化此稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶液 ,并涂敷此催化的稀氢矽1 1/2氧烷树 脂溶液于基质; (B)乾燥催化的稀氢矽1 1/2氧烷树脂溶 液以蒸发溶剂,于是基质上淀积一催化 的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前涂料; (C)E@涂覆的基质加热至150与1000℃间 温度使催化的氢矽1 1/2氧烷树脂瓷前 涂料瓷化成二氧化矽而产生陶瓷或似瓷 涂层。16.一种藉含下列步之方法涂覆之基质: (A)以一涂料涂覆基质:系用一溶剂稀释 之氢矽1 1/2氧烷树脂,以一自铂触媒 及铑触媒选出之金属触媒催化氢矽1 1/2氧烷树脂,涂覆该经催化之氢矽1 1/2氧烷树脂之溶液至基质; (B)乾燥经催化之稀氢矽1 1/2氧烷树脂 溶液涂料,俾使溶剂蒸发及藉以在基质 上淀积经催化之氢矽1 1/2氧烷树脂前 陶瓷层;及 (C)藉将经涂覆之基质加热至150与1000 ℃间温度,使催化的氢矽1 1/2氧烷树 脂之前陶瓷化成二氧化矽。17.根据申请专利范围 第16项所定义之基质, 其中基质上经催化之氢矽11/2氧烷树脂 之前陶瓷层,系藉于空气中加热而瓷化。 |
