| 发明名称 | 金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法。该金属氧化物半导体晶体管元件包含有半导体基底；外延层，设于该半导体基底上；氧化层，设于该外延层上；栅极结构，设于该氧化层上，包含有导电层，该导电层的侧壁上缘包含缺口；以及间隙壁，位于该导电层的侧壁，且覆盖于该导电层的该缺口上；以及浅结阱区，设于该栅极结构的两侧。 | ||
| 申请公布号 | CN101521227A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200810081285.0 | 申请日期 | 2008.02.26 |
| 申请人 | 联笙电子股份有限公司 | 发明人 | 许修文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1. 一种金属氧化物半导体晶体管元件，包含有：半导体基底；外延层，设于该半导体基底上；氧化层，设于该外延层上；栅极结构，设于该氧化层上，包含有：导电层，该导电层的侧壁上缘包含缺口；以及间隙壁，位于该导电层的侧壁，且覆盖于该导电层的该缺口上；以及浅结阱区，设于该栅极结构的两侧，包含有源极及重阱区区域。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||