| 发明名称 | 多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质夹带出去；本发明洁净处理还原炉石墨电极去除杂质充分，生产多晶硅产品质量稳定；耗能低、耗水量少；工艺简单、易于操作；不污染大气和水源，属环境友好型工艺；本发明不仅用于多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理，同时还适用于还原炉进气石墨喷嘴，半导体外延炉石墨托以及其它工艺石墨件的洁净处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101486458A | 申请公布日期 | 2009.07.22 |
| 申请号 | CN200910058478.9 | 申请日期 | 2009.03.03 |
| 申请人 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 发明人 | 杨永富 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I;C01B33/03(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 方 强 |
| 主权项 | 1、多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽将石墨中的杂质夹带出去。 | ||
| 地址 | 614800四川省乐山市五通桥竹根镇新华村 | ||