发明名称 |
半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置 |
摘要 |
本发明的目的之一在于提供一种减少涉及贴合的不良并其品质均匀的半导体衬底。本发明的半导体衬底的制造方法之一,包括:在衬底贴合室的衬底配置区域中配置第一衬底,该衬底贴合室包括在衬底配置区域中设置有多个开口的衬底支撑台、配置在该多个开口的每一个中的衬底支撑机构、使该衬底支撑机构升降的升降机构;在第一衬底的上方以不接触于第一衬底的方式配置第二衬底;通过利用衬底支撑机构对第一衬底的棱角部之一施加压力,从施加压力的棱角部之一进行第一衬底和第二衬底的贴合。 |
申请公布号 |
CN101488471A |
申请公布日期 |
2009.07.22 |
申请号 |
CN200910003311.2 |
申请日期 |
2009.01.15 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
小俣贵嗣;森若智昭;大沼英人 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
侯颖媖 |
主权项 |
1. 一种半导体衬底的制造方法,包括如下步骤:在衬底贴合室配置第一衬底,该衬底贴合室包括设置有多个开口的衬底支撑台、设置在所述多个开口中的衬底支撑机构以及使所述衬底支撑机构升降的升降机构;在所述第一衬底的上方以不接触于所述第一衬底的方式配置第二衬底;以及通过使用所述升降机构使所述衬底支撑机构上升,将所述第一衬底贴合到所述第二衬底。 |
地址 |
日本神奈川县 |