发明名称 |
具有堆叠分立电感器结构的半导体功率器件 |
摘要 |
本发明涉及一种具有堆叠分立电感器结构的半导体功率器件,其包括分立电感器,该分立电感器具有形成在其第一表面上的接触区和安装在其第一表面上并且连接到该接触区的至少一个半导体元件。分立电感器还包括在与第一表面相对的第二表面上形成的接触区和将第一表面接触区连接到相应的第二表面接触区的定线连接线。所述半导体元件可以倒装到分立电感器接触区或导线键合到其上。 |
申请公布号 |
CN101383340B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200810108970.8 |
申请日期 |
2008.06.05 |
申请人 |
万国半导体股份有限公司 |
发明人 |
弗兰茨娃·赫尔伯特 |
分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;H01F27/29(2006.01)I;H02M3/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
徐雯琼 |
主权项 |
一种半导体功率器件,其特征在于,该半导体功率器件包括:具有在其第一表面上形成的接触区的分立电感器;和安装在分立电感器的第一表面上并且连接于所述接触区的至少一个半导体元件;其中,所述的分立电感器还包括与第一表面相对的第二表面上形成的接触区,和将第一表面接触区连接到相应的第二表面接触区的定线连接线;所述的定线连接线包括通孔通道。 |
地址 |
百慕大哈密尔敦维多利亚街22号佳能院 |