发明名称 | 具有高的光抽取的发光二极管芯片及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种具有高的光抽取的发光二极管芯片,其包括基板、用于通过光电效应生成光的外延层结构、夹在基板和外延层结构之间的透明反射层、和用于向外延层结构提供电源的一对电极。对外延层结构的底面和顶面进行粗糙化以具有不小于100nm均方根(rms)的粗糙度。因此,有效地抽取出由外延层结构生成的光。不大于5μm rms的透明反射层形成为基板和外延层结构之间的界面。更有效地向上反射朝向基板的光。从而提高光抽取和亮度。本发明还提供了用于制造本发明的发光二极管芯片的方法。 | ||
申请公布号 | CN101884088A | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
申请号 | CN200880111244.X | 申请日期 | 2008.09.17 |
申请人 | 普瑞光电股份有限公司;国立中兴大学 | 发明人 | 洪瑞华;武东星;黄少华;谢创宇;林朝坤 |
分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
主权项 | 一种发光二极管芯片,该发光二极管芯片包括:基板;透明折射层,其形成在所述基板上,所述透明折射层的折射率大于空气的折射率;外延层结构,其底面连接到所述透明折射层,并且顶面与所述底面相反,所述外延层结构生成光并且具有大于所述透明折射层的折射率,所述底面和顶面都具有不小于100nm均方根rms的粗糙度;以及电极单元,其具有在所述外延层结构上分开布置的一对电极,以形成与所述外延层结构的欧姆接触并且向所述外延层结构提供电能。 | ||
地址 | 美国加州 |