发明名称 |
一种单极天线 |
摘要 |
本发明系关于一种单极天线,包含:一接地面;一辐射元件,具有一介质晶片与一辐射金属部,该辐射金属部并包含:一倒U形金属片;一金属线,其一端连接至该倒U形金属片中间金属区间;及一馈入金属部,分别连接该金属线的一端与位于该接地面之上之一讯号源。 |
申请公布号 |
TWI379458 |
申请公布日期 |
2012.12.11 |
申请号 |
TW097107185 |
申请日期 |
2008.02.29 |
申请人 |
国巨股份有限公司 高雄市楠梓加工出口区西三街16号;翁金辂 高雄市鼓山区莲海路70号国立中山大学电机系 |
发明人 |
翁金辂;许铭仁;周良哲;陈清典;刘俊贤;王启岳 |
分类号 |
H01Q9/42 |
主分类号 |
H01Q9/42 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种单极天线,包含:一接地面;一辐射元件,具有一介质晶片与一辐射金属部,该辐射金属部被包覆于该介质晶片内部或位于该介质晶片之表面,该辐射金属部并包含:一倒U形金属片;一金属线,具有一第一端及一第二端,该金属线为该倒U形金属片所包围,该第一端连接至该倒U形金属片中间金属区间,该第二端位于该介质晶片之一边缘处;及一馈入金属部,其一端连接至该辐射元件之该金属线的该第二端,其另一端连接至位于该接地面上之一讯号源。如申请专利范围第1项所述之单极天线,其中该辐射元件由印刷技术形成于该介质晶片之表面。如申请专利范围第1项所述之单极天线,其中该辐射元件由低温共烧陶瓷技术被包覆在该介质晶片之内部。如申请专利范围第1项所述之单极天线,其中该介质晶片为一陶瓷晶片。如申请专利范围第1项所述之单极天线,其中该辐射元件之金属线具有一次以上之弯折。如申请专利范围第1项所述之单极天线,其中该辐射元件之金属线之形状为直线形。如申请专利范围第1项所述之单极天线,其中该接地面为一行动通讯装置之系统接地面。 |
地址 |
高雄市楠梓加工出口区西三街16号;高雄市鼓山区莲海路70号国立中山大学电机系 |