| 发明名称 |
非挥发性半导体记忆体元件以及制造非挥发性半导体记忆体元件之方法 |
| 摘要 |
本发明是关于一种记忆体元件以及其制造方法。记忆体元件包含：基板、基板上之穿隧介电膜、形成于基板中之源极区以及汲极区，以及在每一对源极区与汲极区之间的多个分离的储存块。每一储存线块包括储存资料以及二氧化矽层。两个储存块分离至少100埃之间距。 |
| 申请公布号 |
TWI387058 |
申请公布日期 |
2013.02.21 |
| 申请号 |
TW097100331 |
申请日期 |
2008.01.04 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
施彦豪;薛铭祥;赖二琨;吴家伟;卢棨彬;谢荣裕 |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
