独立夹紧Ｎ通道及Ｐ通道电晶体

摘要

本发明揭示一种积体电路，其具有形成于一第一晶圆上之第一复数个电晶体与形成于一第二晶圆上之第二复数个电晶体。该第一电晶体中至少实质上多数电晶体系一第一导电率类型，而该第二复数个电晶体中至少实质上多数电晶体系一第二导电率类型。在将晶圆黏接在一起后，移除该第二晶圆之一部分，其中该第二复数个电晶体之通道应变比该第一复数个电晶体之通道应变更具压缩力。