发明名称 具氧化轮廓之垂直共振腔面射型雷射
摘要 一种具氧化轮廓之垂直共振腔面射型雷射,系包括一基板、一外延层结构、一隔绝层、一N型接面、一P型接面、一N型金属电极及一P型金属电极所组成。系经由使用单一蚀刻氧化程序以沿着侧壁处形成一在主动层上方至少达100nm以上之氧化轮廓,可具有优越之动态性能,包括功率消耗及最大之运转速度,且亦可远远超过文献报告中之高资料传输速率与功率消耗之比值,能在34与12.5 Gbps下可分别达成2.9与9.2 Gbps/mW之世界记录。
申请公布号 TWI427879 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW099145146 申请日期 2010.12.22
申请人 国立中央大学 桃园县中坜市中大路300号 发明人 许晋玮;郭峰铭;杨英杰
分类号 H01S5/183 主分类号 H01S5/183
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号