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<p>본 발명은 활성 채널로서 아연, 주석, 갈륨, 카드뮴 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 또는 그 초과의 원소들과 산소 및 질소를 포함한 반도체 물질을 가진 TFT들을 일반적으로 포함한다. 반도체 물질은 바닥부 게이트 TFT들, 상부 게이트 TFT들, 및 다른 유형들의 TFT들에서 이용될 수 있다. TFT들은 채널 및 금속 전극들 모두를 생성하도록 에칭에 의해 패터닝될 수 있다. 이후 소스-드레인 전극들은 에칭 정지층으로서 반도체 물질을 이용하여 건식 에칭함으로써 정의될 수 있다. 활성층 캐리어 농도, 이동성 및 TFT의 다른 층들과의 인터페이스는 미리결정된 값들로 튜닝될 수 있다. 튜닝은, 질소 함유 가스 대 산소 함유 가스 유동 비율을 변화시키거나, 증착된 반도체 필름을 어닐링 및/또는 플라즈마 처리하거나, 또는 알루미늄 도핑의 농도를 변화시킴으로써 달성될 수 있다.</p> |
