一种OTP存储单元及其制作方法

摘要

本发明公开了一种OTP存储单元及其制作方法。该OTP存储单元，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅介质层；位于所述栅介质层上的栅极；位于所述栅极周围的氮化硅侧墙结构；位于所述栅极与所述氮化硅侧墙结构之间的侧壁介质层；以及位于所述栅极两侧的源极和漏极。该OTP存储单元热电子不是存储在浮栅中，利用侧墙结构来俘获并存储电子，因此，不需要额外的选通管或耦合电容即可实现数据的存储与读取，相对于传统的浮栅OTP而言，占用面积小，有利于提高存储器的存储密度，并且其制作方法与标准逻辑制程相兼容，工艺简单，可以极大的节省制造成本。

主权项

一种OTP存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅介质层；位于所述栅介质层上的栅极；位于所述栅极周围且和所述衬底直接接触的氮化硅侧墙结构；位于所述栅极与所述氮化硅侧墙结构之间的侧壁介质层；以及位于所述栅极两侧的源极和漏极；其中，所述氮化硅侧墙结构用于存储电子。