在电荷捕获记忆体结构中使用额外带电区域之改良储存器;IMPROVED STORAGE IN CHARGE-TRAP MEMORY STRUCTURES USING ADDITIONAL ELECTRICALLY-CHARGED REGIONS

摘要

本发明提供一种装置，其包括一记忆体及一读取/写入(R/W)单元。该记忆体包括耦接至一共同电荷捕获层之多个闸极。该R/W单元经组态以藉由在该共同电荷捕获层中产生并读取带电区域之一集合而程式化并读取该记忆体，其中该集合中之至少一给定区域并不唯一地与该等闸极中之任何单一闸极相关联。