纳米多孔铜银支撑的二氧化锰电极片及其制备方法

摘要

本发明为一种纳米多孔铜银支撑的二氧化锰电极片及其制备方法，该电极片的横断面分为三层，中间芯层为非晶基体，两侧为纳米多孔铜银，在纳米多孔铜银的孔壁和表面生长着一层均匀细小的二氧化锰；电极片的厚度约为25～35µm，内侧非晶基体层厚度约为12～28µm，单侧纳米多孔铜银/二氧化锰复合电极材料层厚度约为3～11µm；所述的非晶基体为Cu_xZr_yAg_z合金成分，其中，40≤x≤45，45≤y≤50，5≤z≤15，且x+y+z=100。本发明可以实现电极片的独立支撑，与传统复杂繁琐的压制电极片过程相比，免去添加导电剂、粘结剂等物质，进而避免了当前技术存在的活性物质分散性差、易脱落、有效比表面积小等弊端。

主权项

一种纳米多孔铜银支撑的二氧化锰电极片，其特征为该电极片的横断面分为三层，中间芯层为非晶基体，两侧为纳米多孔铜银，在纳米多孔铜银的孔壁和表面生长着一层均匀细小的二氧化锰；电极片的厚度为25～35 µm，内侧非晶基体层厚度为12～28 µm，单侧纳米多孔铜银/二氧化锰复合电极材料层厚度为3～11 µm；所述的非晶基体为Cu_xZr_yAg_z合金成分，其中，40≤x≤45，45≤y≤50，5≤z≤15，且x+y+z=100；所述的纳米多孔铜银为孔径在10~90 nm。