发明名称 次20奈米之形貌体的均匀压印图案转移方法;METHODS FOR UNIFORM IMPRINT PATTERN TRANSFER OF SUB-20 NM FEATURES
摘要 于此说明增加压印微影术中蚀刻选择性的方法,该方法使用材料沉积技术对该多层材料堆叠给予一独有的外部形貌,从而增强蚀刻制程窗口以及改良蚀刻选择性。例如,能够达到一图案化抗蚀剂层与沉积的金属、类金属或是非有机氧化物之间50:1或更高之蚀刻选择性,大大地保持该蚀刻制程之前该图案形貌体高度,转移该图案进入该基板,容许在高保真度下次20奈米图案转移。
申请公布号 TW201531799 申请公布日期 2015.08.16
申请号 TW103146287 申请日期 2014.12.30
申请人 佳能奈米科技股份有限公司 CANON NANOTECHNOLOGIES, INC. 发明人 叶正茂 YE, ZHENGMAO;拉布拉克 德威恩L LABRAKE, DWAYNE L.
分类号 G03F7/00(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群陈文郎
主权项
地址 美国 US