发明名称 |
ZnO@PEDOT纳米线的制备方法 |
摘要 |
ZnO@PEDOT纳米线的制备方法涉及导电纳米线领域。本发明由PEDOT和经过不同表面处理剂处理的ZnO纳米线复合而成,具体地,本发明中ZnO@PEDOT纳米线的制备方法包括两个聚合反应过程:(1)首先通过表面引发的原子转移自由基聚合方法,制备出ZnO-PSS纳米线;(2)ZnO-PSS与EDOT化学氧化聚合的方法制备出ZnO@PEDOT纳米线。本发明旨在提供一种成本低、可大量制备ZnO@PEDOT纳米线的方法,并且可以解决反应过程中H<sup>+</sup>影响后续反应的问题。如Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和ZnO等纳米线为模板时,随着EDOT聚合的进行,模板被溶解的问题。 |
申请公布号 |
CN104829815A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510251553.9 |
申请日期 |
2015.05.17 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
马育红;杨乐;杨万泰 |
分类号 |
C08G61/12(2006.01)I;C08F292/00(2006.01)I;C08F212/14(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C08G61/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
刘萍 |
主权项 |
ZnO@PEDOT纳米线的制备方法,其特征在于,包括三个步骤:(1)首先在ZnO纳米线表面沉积一层硅氧烷保护层;制备硅烷烷保护层时候所用硅烷偶联剂为二(3‑三甲氧基硅丙基)胺或二(3‑三乙氧硅丙基)胺;(2)在有硅烷保护层的ZnO纳米线表面,通过表面引发的ATRP聚合反应制备聚苯乙烯磺酸钠接枝层,得到ZnO‑PSS;(3)以ZnO‑PSS为模板,制备出ZnO@PEDOT纳米线:称取ZnO‑PSS和EDOT,混合后加入乙腈作为溶剂得到混合溶液;ZnO‑PSS与EDOT的摩尔比例在1:1到5:1之间;称取氧化剂,氧化剂与EDOT的摩尔比例在0.4:1到2.25:1之间;氧化剂为过硫酸盐或铁(Ⅲ)盐,滴加到上述混合溶液中;在过硫酸铵为氧化剂和Tris溶液为溶剂环境中反应31h;在以氯化铁为氧化剂,乙腈为反应溶剂的环境下反应1.5h;制备出ZnO@PEDOT纳米线。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |