发明名称 |
石斛的间歇浸没式培养方法和培养装置 |
摘要 |
一种石斛的间歇浸没式培养方法与装置,将已生根的无菌石斛苗,转移到间歇浸没式培养装置中,在自然条件下进行液体培养,培养液中不加糖,也不需通入二氧化碳,石斛生长所需的碳源来自于自身的光合作用。采用本发明的方法,简化了石斛培养条件,降低了种植成本。 |
申请公布号 |
CN104823824A |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201510225344.7 |
申请日期 |
2015.05.04 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
王贵荣 |
分类号 |
A01G31/00(2006.01)I;A01G31/02(2006.01)I |
主分类号 |
A01G31/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
杨元焱 |
主权项 |
一种石斛的间歇浸没式培养方法,其特征在于:包括如下步骤:一、用氯化汞溶液对石斛种子进行消毒,然后接种到种子萌发培养基中,光照下培养;二、无菌苗生根后打开瓶盖,练苗2‑3天;三、练苗结束后洗浄根部残留的琼脂,然后转入间歇浸没式培养装置中;四、在间歇浸没式培养装置下腔注入营养液,然后把石斛苗无菌扦插到装置上腔并用不锈钢网状苗床固定;采用间歇浸没式培养模式对石斛苗进行培养,让营养液在虹吸管和液泵的共同作用下在装置的上腔和下腔之间间歇循环转移。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |