一种γ相三硒化二铟（ＩｎＳｅ）层状半导体之太阳光储能元件及溅镀靶材

主权项

一种γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体之太阳光储能元件，其系包括：至少一γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体，其系由至少一无机硫属元素与至少一铟金属组合而成；以及至少一光源所产生的一第一波长，穿透该γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体后，成为一第二波长；其中，该至少一γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体各自具有一厚度、一宽度、以及一长度，其所组合的一堆叠结构，系由二维奈米结构、以及三维奈米结构所组成，包括：该至少一γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体的各自该厚度系相同，或各自该厚度系不相同；该至少一γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体的各自该长度系相同，或各自该长度系不相同；该至少一γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体的各自该宽度系相同，或各自该宽度系相同不相同；及一对电极，其中该电极系分别位于该堆叠结构的该厚度叠合后，相对应的两端，该电极系接合一导线；其中，该γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体之太阳光储能元件，系由该厚度控制该堆叠结构的色泽变化，色泽变化范围为2000K~4000K色温；该γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体之太阳光储能元件，系一光电元件，该第一波长系680nm至496nm之波长，该光电元件吸收该第一波长，将光能转换成电能；该γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体之太阳光储能元件，系一滤光元件，该第二波长范围可为680nm至496nm，该滤光元件经由该厚度控制并过滤第一波长，形成该
第二波长；该γ相三硒化二铟(In2Se3)层状半导体之太阳光储能元件，系一电阻逻辑器，该电阻逻辑器的该电阻率(ρ)系由该厚度控制。