| 发明名称 | 超重力辅助的可控制备一维硅纳米线阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种一维硅纳米线阵列的制备方法，采用“自上而下”金属辅助化学刻蚀法，直接将切洗后的硅片放入稳定的金属盐的氢氟酸水溶液刻蚀液中，在超重力体系中，通过调节离心机的转速、温度、时间一步法可控制备高质量的一维硅纳米线阵列。本发明的制备方法通过在反应过程中引入超重力场，可以一步法制备不同形状的高质量的硅纳米线阵列，缩短反应时间。 | ||
| 申请公布号 | CN104810250A | 申请公布日期 | 2015.07.29 |
| 申请号 | CN201510202592.X | 申请日期 | 2015.04.24 |
| 申请人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明人 | 王钰;段春阳;任贝;陈运法 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;侯桂丽 |
| 主权项 | 一种一维硅纳米线阵列的制备方法，采用“自上而下”金属辅助化学刻蚀法，直接将切洗后的硅片放入稳定的金属盐的氢氟酸水溶液刻蚀液中，在超重力体系中，通过调节离心机的转速、温度、时间一步法可控制备高质量的一维硅纳米线阵列。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北二条1号 | ||