功率半导体器件及制造方法和截止环

摘要

本发明提供一种功率半导体器件及制造方法和截止环，通过在功率半导体器件的位于有源区外围的截止环上，刻蚀获得至少一个沟槽，并在沟槽下方设置通过向沟槽注入离子所形成的注入区，以及设置覆盖沟槽表面和有源区表面的二氧化硅介质层，由于采用了在截止环上刻蚀获得沟槽之后注入离子，增加了离子注入深度和截止环的密度，因而，缩小了截止环的宽度，解决了截止环占用了较大的芯片面积的技术问题，提高了芯片面积利用率，进而降低了芯片的制造成本。

主权项

一种功率半导体器件，包括有源区和位于所述有源区外围的截止环，以及位于所述有源区和所述截止环之间的分压区，其特征在于，所述截止环包括：至少一个沟槽；覆盖所述沟槽表面和所述有源区表面的二氧化硅介质层；位于所述沟槽下方的注入区；其中，所述注入区是向所述沟槽注入离子形成的。