| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于界定伪有源区和有源区；在所述半导体衬底上形成阻挡层，所述伪有源区的上表面与所述阻挡层上表面之间的距离为第一厚度，所述伪有源区的横向宽度小于第一厚度的1.4倍。本发明可以避免去除CMP之后，伪有源区上的阻挡层中存在残留。 | ||
| 申请公布号 | CN102347268B | 申请公布日期 | 2015.07.22 |
| 申请号 | CN201110335666.9 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 顾靖 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于界定伪有源区和有源区；在所述半导体衬底上形成阻挡层，所述伪有源区的上表面与所述阻挡层上表面之间的距离为第一厚度，所述伪有源区的横向宽度小于第一厚度的1.4倍；在形成所述阻挡层之后，在所述有源区上的阻挡层内形成通孔，在所述通孔内形成填充介质层，以所述阻挡层为刻蚀停止层，去除所述阻挡层上的填充介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||