制造半导体组件和结构的方法

摘要

本发明涉及制造半导体组件和结构的方法。一种半导体组件和用于制造半导体组件的方法，其包括光致抗蚀剂层的双曝光或多层光致抗蚀剂的使用。金属化结构在布置在基底上的导电材料层上形成，且光致抗蚀剂层在金属化结构上形式。光致抗蚀剂层被暴露给光并被显影以移除光致抗蚀剂层的一部分，从而形成开口。接着，光致抗蚀剂层的较大部分被暴露给光，且导电互连物在开口中形成。光致抗蚀剂层的被暴露给光的较大部分被显影，以暴露导电互连物的边缘和金属化结构的部分。保护层在导电互连物的顶部和边缘上并在金属化结构的被暴露部分上形成。

主权项

一种用于制造半导体组件的方法，包括以下步骤：提供具有主表面的材料；在所述主表面之上形成第一导电结构；在所述第一导电结构之上形成第一光致抗蚀剂层；使用第一曝光使所述第一光致抗蚀剂层的第一部分暴露给光，所述第一部分具有第一尺寸；移除所述第一光致抗蚀剂层的已暴露给所述光的第一部分，以形成具有侧壁的开口；在所述开口中形成第二导电材料，其中所述第二导电材料具有与所述开口的侧壁相邻的侧壁；在所述第一光致抗蚀剂层之上以及在所述第二导电材料之上形成第二光致抗蚀剂层；使用第二曝光使所述第二光致抗蚀剂层的第一部分暴露给光，所述第二光致抗蚀剂层的第一部分具有大于所述第一尺寸的第二尺寸；移除所述第二光致抗蚀剂层的第一部分以及所述第一光致抗蚀剂层的第二部分以显露所述第二导电材料的侧壁，其中所述第一光致抗蚀剂层的第二部分是所述第一光致抗蚀剂层的剩余部分的与所述第二导电材料的所述侧壁相邻的部分；以及在所述第二导电材料的第一边缘和第二边缘之上形成保护结构。