| 主权项 |
一种形成一电子装置的方法，其包括：提供包括一基板的一工件，包括一下面掺杂区和覆盖在该下面掺杂区上的一半导体层，其中该半导体层具有与该下面掺杂区间隔开的一主表面；形成一垂直定向传导区，该垂直定向传导区从该主表面延伸到该下面掺杂区，其中形成该垂直定向传导区包含：使该半导体层形成图案，以界定从该主表面朝该下面掺杂区延伸的一沟槽；及沉积完全填满该沟槽的一第一传导层；形成邻近该主表面的一水平定向掺杂区，其中在该电子装置的制成形式中，与该垂直定向传导区相比，该水平定向掺杂区进一步在横向方向朝已经形成或将被形成一源极区的一区延伸；在该垂直定向导区上沉积一第二传导层，且该第二传导层与该垂直定向传导区电绝缘；蚀刻该第二传导层，以形成一传导电极，其中在该电子装置的制成形式中，该传导电极经配置成当该电子装置在正常工作状态下时处于实质上恒定电压；在该半导体层的该主表面上沉积一第三传导层，其中沉积该第三传导层系在沉积该第二传导层之后进行；以及蚀刻该第三传导层，以形成一闸极电极，其中该电子装置包括一电晶体，该电晶体包括该下面
掺杂区、该垂直定向传导区、该水平定向掺杂区和该闸极电极，及其中该垂直定向传导区、该水平定向掺杂区、及该下面掺杂区系互相电连接。
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