具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件

摘要

本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其他益处的特征的示例性功率半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：延伸到半导体区中并且具有第一末端和第二末端的第一沟槽；内衬所述第一沟槽的相对侧壁的第一介电层；布置在所述第一沟槽中的第一栅电极；布置在所述第一沟槽中并且与所述第一栅电极电绝缘的第一屏蔽电极；耦接至所述第一栅电极的栅极立管；延伸到所述半导体区中并且具有第一末端和第二末端的第二沟槽；内衬所述第二沟槽的相对侧壁的第二介电层；布置在所述第二沟槽中的第二栅电极；布置在所述第二沟槽中并且与所述第二栅电极电绝缘的第二屏蔽电极；交错在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的平台；以及布置在所述半导体区中的所述平台中且在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的第一导电型的阱区，所述阱区邻接所述第一沟槽和所述第二沟槽，并且与所述第一沟槽的所述第一末端至少间隔有距离，所述阱区在所述栅极立管处终止、在所述栅极立管下方终止、或超过所述栅极立管在屏蔽浇道下终止；并且在所述阱区和所述第一沟槽的所述第一末端之间没有布置所述第一导电型的其他阱区。