| 发明名称 | 一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片，包括：利用氢氟酸清洗硅片；利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面；氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。本发明提出的一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片中，并不是直接将清洁的硅表面裸露出来，而是在上面再均匀地覆盖一层很薄的二氧化硅氧化层，这样能够有效隔绝后续生长铝的过程中产生的硅铝互溶现象，解决了现有技术中硅铝界面外观异常的技术问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104779155A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410016410.5 | 申请日期 | 2014.01.14 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 陈兆同;马万里;赵文魁 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种硅铝生长界面的处理方法，其特征在于，包括： 利用氢氟酸清洗硅片； 利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面； 氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦 | ||