一种独石结构全陶瓷型高梯度绝缘子及其制备方法

摘要

本发明提供了一种独石结构全陶瓷型高梯度绝缘子及其制备方法，属于脉冲与功率技术领域，其特征在于所述绝缘子以金属陶瓷材料为导电层，以氧化铝材料为绝缘层，绝缘层与导电层交替排列，绝缘层厚度为30~300微米，导电层厚度为5~100微米，金属陶瓷导电层材料为钼-氧化铝金属陶瓷、氮化钛-氧化铝金属陶瓷。其制备方法为通过流延技术制备氧化铝流延片，在氧化铝流延片上利用丝网印刷工艺印制金属陶瓷层，将流延片与印制金属陶瓷层流延片按照适当层数交替排列叠层压制并排除有机物后烧结得到独石结构高梯度绝缘子。

主权项

一种独石结构全陶瓷型高梯度绝缘子，其特征在于：所述的绝缘子以金属陶瓷材料为导电层，以氧化铝材料为绝缘层，绝缘层与导电层交替排列，绝缘层厚度为30~300微米，导电层厚度为5~100微米。