半导体器件以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了半导体器件。一种半导体器件包括具有第一区域至第四区域的衬底。而且，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层分别位于第一区域至第四区域上。在第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的功函数控制材料的量、第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的氮浓度和/或第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层的厚度是变化的。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：包括第一区域至第四区域的衬底；分别位于所述衬底的第一区域至第四区域上的第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层；分别位于所述第一栅极绝缘层至所述第四栅极绝缘层上的第一功函数层至第四功函数层；以及分别位于所述第一功函数层至所述第四功函数层上的第一栅极金属至第四栅极金属，其中，所述第一栅极绝缘层的第一氮浓度和第二栅极绝缘层的第二氮浓度高于第三栅极绝缘层的第三氮浓度和所述第四栅极绝缘层的第四氮浓度，并且其中，所述第一栅极绝缘层的第一厚度和所述第三栅极绝缘层的第二厚度比所述第二栅极绝缘层的第三厚度和所述第四栅极绝缘层的第四厚度更厚。