衬底处理装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置以及半导体装置的制造方法，能够形成离子损伤等较少的高品质的膜。为解决上述课题，提供一种衬底处理装置，具有：原料气体供给系统，其具有与原料气体源连接，并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，其具有反应气体供给管和惰性气体供给管，其中，所述反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部；所述惰性气体供给管，其下游端连接在所述反应气体供给控制部与所述等离子体生成部之间，并且，上游端与惰性气体供给源连接，而且设有惰性气体供给控制部；处理室，其收容被处理衬底，从所述原料气体供给系统被供给原料气体，从所述反应气体供给系统被供给反应气体；控制部，其至少对所述原料气体供给控制部和所述反应气体供给控制部和所述惰性气体供给控制部进行控制。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：原料气体供给系统，其具有与原料气体源连接，并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，其具有反应气体供给管和惰性气体供给管，其中，所述反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部，所述惰性气体供给管，其下游端连接在所述反应气体供给控制部与所述等离子体生成部之间，并且，上游端与惰性气体供给源连接，而且设有惰性气体供给控制部；处理室，其收容被处理衬底，从所述原料气体供给系统被供给原料气体，从所述反应气体供给系统被供给反应气体；控制部，其至少对所述原料气体供给控制部和所述反应气体供给控制部和所述惰性气体供给控制部进行控制。