| 发明名称 | MOS管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS管及其形成方法。其中，所述MOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在待形成栅极的部分半导体衬底内形成开口；形成覆盖所述开口底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层；形成分别位于所述栅介质层、栅电极层两侧的半导体衬底内的源区和漏区。形成的MOS管的沟道区长度增加，可有效提高MOS管的性能。并且，当MOS管用作电容器时，可有效增加其电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104752502A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310746415.9 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 程勇;蒲贤勇;汪铭;马千成 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在待形成栅极的部分半导体衬底内形成开口；形成覆盖所述开口底部和侧壁的栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层；形成分别位于所述栅介质层、栅电极层两侧的半导体衬底内的源区和漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||