发明名称 内连线结构与其形成方法
摘要
申请公布号 TWI491004 申请公布日期 2015.07.01
申请号 TW101126904 申请日期 2012.07.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈建安;刘文俊;林俊杰;苏鸿文;蔡明兴;章勋明
分类号 H01L23/52;H01L21/768 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种内连线结构,包括:一第一沟槽;以及一第二沟槽,其中该第二沟槽比该第一沟槽宽,其中该第一沟槽与该第二沟槽均衬垫有一扩散阻障层,其中一第一导电层系沉积于该扩散阻障层上,其中一金属盖层系沉积于该第一导电层上,以及其中一第二导电层系沉积于该第二沟槽中的该金属盖层上,其中该第二沟槽中的该金属盖层直接接触该扩散阻障层。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号