| 发明名称 | 基片刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，用于提高掩膜的刻蚀选择比，其中，采用惰性气体作为刻蚀气体；第二主刻蚀步骤，通过采用高下功率来修饰掩膜形貌以及调整基片的底边宽度；第三主刻蚀步骤，通过在本步骤的预定工艺时间内按预定规则将下功率由预设的最高功率值降低至最低功率值，来降低拐点高度；第四主刻蚀步骤，通过采用低下功率来提高基片的刻蚀选择比；过刻蚀步骤，通过采用高下功率来修饰基片形貌。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以实现针对不同形貌的掩膜均获得理想的基片形貌，而且可以增大工艺窗口，从而可以通过调整各个参数来获得理想的刻蚀高度和底边宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN104752198A | 申请公布日期 | 2015.07.01 |
| 申请号 | CN201310738381.9 | 申请日期 | 2013.12.29 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 田成益 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，用于提高掩膜的刻蚀选择比，其中，采用惰性气体作为刻蚀气体；第二主刻蚀步骤，通过采用高下功率来修饰掩膜形貌以及调整基片的底边宽度；第三主刻蚀步骤，通过在本步骤的预定工艺时间内按预定规则将下功率由预设的最高功率值降低至最低功率值，来降低拐点高度；第四主刻蚀步骤，通过采用低下功率来提高基片的刻蚀选择比；过刻蚀步骤，通过采用高下功率来修饰基片形貌。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||