一种甘草次酸3位羟基和11位羰基结构修饰方法

摘要

一种甘草次酸3位羟基和11位羰基结构修饰方法，该方法包含以下步骤：1)11-脱氧甘草次酸-3-0-乙酸酯一锅烩反应；2)11-脱氧甘草次酸-3-0-乙酸酯反应液的处理；3)11-脱氧甘草次酸-3-0-乙酸酯粗品的制备；4)11-脱氧甘草次酸-3-0-乙酸酯精品的制备。本发明以甘草次酸为原料，在甘草次酸的3-位羟基和11-位羰基同步进行了结构修饰，一锅煮法合成了11-脱氧甘草次酸-3-0-乙酸酯，将原本需两步的反应一步进行，缩短了反应步骤，优化了合成工艺，反应收率大大提高，具有操作简便、反应条件温和、后处理方便、产率高等优点。

主权项

一种甘草次酸3位羟基和11位羰基结构修饰方法，以甘草次酸为原料，该方法包含以下步骤：(1)11‑脱氧甘草次酸‑3‑0‑乙酸酯一锅烩反应。(2)11‑脱氧甘草次酸‑3‑0‑乙酸酯反应液的处理。(3)11‑脱氧甘草次酸‑3‑0‑乙酸酯粗品的制备。(4)11‑脱氧甘草次酸‑3‑0‑乙酸酯精品的制备。