| 发明名称 | 石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种石墨烯纳米带的制造方法、MOSFET及其制造方法，其中，MOSFET包括：绝缘衬底；位于绝缘衬底上的氧化物保护层；嵌入氧化物保护层中的至少一条石墨烯纳米带，其中在氧化物保护层的侧表面上暴露所述至少一条石墨烯纳米带的表面；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的沟道区；在所述至少一条石墨烯纳米带的每一个中形成的源/漏区，其中沟道区位于源/漏区之间；位于所述至少一条石墨烯纳米带上的栅介质层；位于栅介质层上的栅极导体层；以及在氧化物保护层的侧表面上与源/漏区相接触的源/漏接触。本发明的方法可以降低石墨烯纳米带和MOSFET的生产成本，并且可以改善MOSFET的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103000498B | 申请公布日期 | 2015.06.24 |
| 申请号 | CN201110274354.1 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造石墨烯纳米带的方法，包括：在绝缘衬底上形成包括籽层和生长抑制层的叠层；对叠层进行图案化以形成至少一个叠层条带，所述至少一个叠层条带暴露籽层的侧表面；以及在籽层的侧表面上生长石墨烯纳米带。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||