半导体装置

摘要

本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘层；所述绝缘层上的半导体层；与所述半导体层电连接的源电极层及漏电极层；与所述半导体层重叠的栅极绝缘膜；以及隔着所述栅极绝缘膜与所述半导体层重叠的栅电极层，其中，在所述半导体层的沟道形成区中，长度Z，即所述半导体层的第一侧边的长度、顶边的长度以及第二侧边的长度的总和，在由下述算式表示的范围内，$2\sqrt{{(X/2)}^2+Y^2}\le Z<X+2Y,$X是指从所述半导体层的沟道宽度方向上的截面来看时的所述半导体层的底边的长度，Y是指从所述半导体层的沟道宽度方向上的截面来看时的所述半导体层的高度，Y等于或大于X，并且，在所述半导体层的沟道形成区中，从所述半导体层的沟道宽度方向上的截面来看时的所述半导体层的周长为(X+Z)。