摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schichtsystem für Dünnschichtsolarzellen, mit einer Absorberschicht, die einen Chalkogenid-Verbindungshalbleiter enthält, und einer Pufferschicht, die auf der Absorberschicht angeordnet ist, wobei die Pufferschicht ein Halbleitermaterial, enthaltend Indium (In), Schwefel (S) und wenigstens einem Element, gewählt aus der Gruppe, bestehend aus Kalium (K) und Cäsium (Cs), aufweist. Des Weiteren betrifft sie eine Dünnschichtsolarzelle mit einem solchen Schichtsystem sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtsystems. |
申请人 |
SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE |
发明人 |
VERMA, RAJNEESH;POHLNER, STEPHAN;DIETMÜLLER, ROLAND;DALIBOR, THOMAS;HAPP, THOMAS;PALM, JÖRG |