| 摘要 |
<p>본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨 전구체에 관한 것으로, 상기 갈륨 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화갈륨 박막을 형성할 수 있다.[화학식 1](상기 식에서, R, R는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R, R는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)</p> |
