| 摘要 |
<p>일 실시형태에 따르면, 반도체 발광 장치는, 반도체층과, p측 전극과, n측 전극과, 무기막을 구비한다. 반도체층은, 요철을 갖는 제1면과, 제1면과 반대측의 제2면과, 발광층을 갖는다. 반도체층은 질화갈륨을 포함한다. p측 전극은, 제2면에 있어서 발광층을 갖는 영역에 마련된다. n측 전극은, 제2면에 있어서 발광층을 갖지 않는 영역에 마련된다. 무기막은, 제1면의 요철을 따라 제1면에 접하여 마련된다. 무기막은 실리콘과 질소를 주성분으로 한다. 무기막은 질화갈륨의 굴절률과 공기의 굴절률 사이의 굴절률을 갖는다. 무기막의 표면에도 요철이 형성되어 있다.</p> |
