硅片温度稳定装置

摘要

一种硅片温度稳定装置，包括：气浮盘，位于所述硅片下方，设置有真空气道和正压气道，所述正压气道包裹所述真空气道，所述正压气道和所述真空气道分别成非封闭的圆环形分布，所述正压气道通过正压气道密封板密封，所述真空气道通过真空气道密封板密封，真空气道密封面低于正压气道密封面；水冷盘，位于所述气浮盘下方，设置有冷却水道，所述冷却水道成局部环形，整体蛇形分布，冷却水通过冷却水入口进入冷却水道后对硅片进行热辐射。所述硅片温度稳定装置采用分体式设计可以同时解决高端光刻设备中硅片传输系统中硅片温度稳定与硅片边缘自重形变补偿，易于零部件加工，气道和水道布置方便。

主权项

一种硅片温度稳定装置，其特征在于，包括：气浮盘，位于所述硅片下方，设置有真空气道和正压气道，所述真空气道包括内圈真空气道和外圈真空气道，所述正压气道包括内圈正压气道和外圈正压气道，所述内圈正压气道分布在内圈真空气道两侧，所述外圈正压气道分布在外圈真空气道两侧；所述正压气道包裹所述真空气道，所述正压气道和所述真空气道分别成非封闭的圆环形分布；水冷盘，位于所述气浮盘下方，设置有冷却水道；所述气浮盘与所述水冷盘采用分体式连接。