具有SiC外延膜的SiC衬底

摘要

本发明公开了一种在温壁CVD系统中于SiC衬底上形成外延SiC膜的方法，其中所述衬托器被主动加热并且所述顶部和侧壁不被主动加热，但允许通过所述衬托器间接加热。所述方法包括反应室制备物的第一过程和外延膜生长的第二过程。所述外延生长通过使氢气、硅气和碳气的气体混合物以范围为120至250cm/s的总气流速度平行于所述晶片的表面流动来进行。

主权项

一种制造在单晶4H‑SiC衬底上包含外延SiC膜的4H‑SiC外延晶片的方法，所述方法包括：a.将所述单晶4H‑SiC衬底加载在温壁CVD系统的反应室中的衬托器上；b.通过将所述反应室中的所述衬托器的温度控制在1500℃至1620℃的范围来加热所述系统；以及c.执行制造运行来制备所述4H‑SiC外延晶片，所述制造运行包括供应平行于所述单晶4H‑SiC衬底的表面的气流，使得总气流速度在120至250cm/s的范围内并将所述反应室内部的压力控制在100至150mbar的范围内，其中所述气流包含氢气、硅气和碳气的混合物，以在所述单晶4H‑SiC衬底上产生所述外延SiC膜。