| 发明名称 | 一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可有效减少TFT阵列基板在制造过程中发生的静电放电，提高产品良率。所述TFT阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括位于像素区的第一导电图案和与所述第一导电图案电连接的第一信号线，与所述第一信号线电连接的第一信号线引线；在形成有所述第一导电层的基板上形成绝缘层；其中，所述绝缘层包括露出所述第一信号线引线的第一过孔；在形成有所述绝缘层的基板上形成第二导电薄膜；其中，所述第二导电薄膜通过位于所述绝缘层上的第一过孔与所述第一信号线引线电连接。用于阵列基板、显示装置的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104716147A | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201510152075.6 | 申请日期 | 2015.04.01 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 张鹏举;彭志龙;王浩;潘梦霄;刘还平 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括位于像素区的第一导电图案和与所述第一导电图案电连接的第一信号线，与所述第一信号线电连接的第一信号线引线；在形成有所述第一导电层的基板上形成绝缘层；其中，所述绝缘层包括露出所述第一信号线引线的第一过孔；在形成有所述绝缘层的基板上形成第二导电薄膜；其中，所述第二导电薄膜通过位于所述绝缘层上的第一过孔与所述第一信号线引线电连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||