| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了用于制造半导体器件的方法。应变材料形成在衬底的腔中并且与衬底中的隔离结构相邻。应变材料具有位于衬底表面上方的角部。所公开的方法提供了用于利用衬底腔中的增加部分形成与隔离结构相邻的应变材料的改进方法，以增强载流子迁移率并提升器件性能。通过提供处理以重新分布腔中角部的至少一部分来实现改进的形成方法。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103035574B | 申请公布日期 | 2015.06.17 |
| 申请号 | CN201210160901.8 | 申请日期 | 2012.05.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 舒丽丽;蔡邦彦;李资良;李启弘;李彦儒;游明华 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成隔离部件；在所述衬底的上方形成栅叠层；在所述衬底中形成凹进腔，其中，所述凹进腔水平地定位在所述栅叠层和所述隔离部件之间；在所述凹进腔中形成外延(epi)材料，其中，所述外延材料具有位于所述凹进腔上方的角部；在所述外延材料的上方形成保护层；以及对所述外延材料和所述保护层提供加热处理以重新分布所述凹进腔中的所述角部和所述保护层的至少一部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||