| 发明名称 | 一种杂化膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料制备技术，尤其是一种杂化膜的制备方法，包括如下步骤：将有机半导体材料溶于第一溶剂中，形成浓度为0.01～20mg/mL的第一混合物；将无机纳米材料分散到第二溶剂中，形成浓度为0.01～10mg/mL的第二混合物；将所述第一混合物转移至惰性衬底上，静置，待所述第一溶剂挥发后形成有机半导体纳米晶；将所述第二混合物转移至所述有机半导体纳米晶表面，然后进行退火处理，待所述第二溶剂挥发后，获得有机-无机材料形成杂化膜。本发明的制备方法操作简单，不需要高温、高真空的苛刻环境，与印刷电子加工方法如喷墨打印、气溶胶喷印等相兼容，制作周期短、成本低、易于大面积大批量制作。 | ||
| 申请公布号 | CN104701455A | 申请公布日期 | 2015.06.10 |
| 申请号 | CN201310652171.8 | 申请日期 | 2013.12.06 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 王凤霞;潘革波 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 杨林;李友佳 |
| 主权项 | 一种杂化膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：将有机半导体材料溶于第一溶剂中，形成浓度为0.01～20mg/mL的第一混合物；将无机纳米材料分散到第二溶剂中，形成分散浓度为0.01～10mg/mL的第二混合物；步骤二：将所述第一混合物转移至惰性衬底上，静置，待所述第一溶剂挥发后形成有机半导体纳米晶；步骤三；将所述第二混合物转移至所述有机半导体纳米晶表面，然后进行退火处理，待所述第二溶剂挥发后，获得有机‑无机材料形成杂化膜。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||