发明名称 |
一种以含硅生物质为原料低温制备纳米碳化硅的方法及所制备得到的纳米碳化硅 |
摘要 |
本发明提供一种以含硅生物质为原料低温制备纳米碳化硅的方法,该方法包括以下步骤:将含硅生物质清洗酸煮处理除去无机盐离子杂质,用蒸馏水反复清洗干燥后研磨成粉末,加入镁粉并球磨混合均匀后放入管式炉中在惰性气氛下先在低温下保温使镁和碳充分反应生成MgC<sub>2</sub>和Mg<sub>2</sub>C<sub>3</sub>,然后再高温保温使碳化镁将二氧化硅还原成碳化硅,待随炉冷却至室温,将所得产物酸洗后除去二氧化硅、氧化镁、硅等,抽滤并干燥后空气退火除去多余的碳,得到纳米碳化硅。本发明采用几乎无成本废弃生物质为原料,且能降低常规方法的生产温度,能够有效降低生产成本,且合成的均为纳米级碳化硅,因此本发明在可在工业上大规模生产和应用。 |
申请公布号 |
CN104692387A |
申请公布日期 |
2015.06.10 |
申请号 |
CN201510072827.8 |
申请日期 |
2015.02.11 |
申请人 |
武汉科技大学 |
发明人 |
霍开富;高标;苏建君;付继江;张旭明 |
分类号 |
C01B31/36(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
邬丽明 |
主权项 |
一种以含硅生物质为原料低温制备纳米碳化硅的方法,其特征在于包括如下步骤:1)将含硅生物质酸煮处理除去无机盐离子杂质,反复清洗后干燥;2)将酸煮后的含硅生物质研磨成粉末,按照二氧化硅与镁的摩尔比为1:(0.5‑5)的量加入镁粉,混合均匀后放入管式炉中在惰性气氛下升温至300‑500℃并保温1‑12h,使镁和碳充分反应生成MgC<sub>2</sub>和Mg<sub>2</sub>C<sub>3</sub>;3)再升温至600‑750℃保温1‑12h,使碳化镁将二氧化硅还原成碳化硅,随炉冷却至室温;4)将所得产物酸洗,然后抽滤并干燥后再空气退火,得到纳米碳化硅。 |
地址 |
430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号 |